裝卸，搬運(yùn)移位安裝半導(dǎo)體-氣墊車運(yùn)輸?shù)膩喩?a href="http://cyprofs.com/" style="margin: 0px; padding: 0px; color: rgb(123, 77, 54); text-decoration-line: none; font-family: 宋體; font-size: 14px; white-space: normal; background-color: rgb(255, 255, 255);">精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍報(bào)道：增加下一代存儲(chǔ)容量的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素之一是增加每個(gè)單元可以存儲(chǔ)的位數(shù)。每個(gè)單元一到兩個(gè)位的輕松跳躍直接增加了 100%，以換取讀/寫位所需的更多控制，但也限制了單元的耐用性。我們已經(jīng)看到每個(gè)單元四位的存儲(chǔ)的商業(yè)化，并討論了五個(gè)。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍一家日本公司現(xiàn)在準(zhǔn)備開始談?wù)撍麄冃碌拿繂卧?7 位解決方案。從每單元 1 位變?yōu)槊繂卧?2 位可輕松將容量翻倍，而改為每單元 3 位僅增加 50%。隨著添加更多位，添加這些位的價(jià)值會(huì)減少，但控制讀取和寫入的設(shè)備成本呈指數(shù)增長(zhǎng)。必須在每單元多少位具有經(jīng)濟(jì)意義與實(shí)現(xiàn)這些位的控制電子成本之間保持中等平衡。此外，每個(gè)單元的位數(shù)越多，耐用性越低 - 當(dāng)您存儲(chǔ)許多位時(shí)，電壓變化只需稍微漂移即可獲得錯(cuò)誤結(jié)果，因此對(duì)高容量單元的重復(fù)讀/寫會(huì)使電壓漂移直到電池?zé)o法使用。目前，市場(chǎng)似乎對(duì)每單元 3 位 (3bpc) 的性能和每單元 4 位 (4bpc) 的容量感到滿意，還有一些 2bpc 設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期耐用性。一些主要供應(yīng)商一直致力于 5bpc 存儲(chǔ)，盡管低耐用性可能使該技術(shù)僅適用于 WORM——一次寫入，多次讀取，這是相當(dāng)于老式 CD 或非-可重寫 DVD。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍來自日本的 C 系列初創(chuàng)公司 Floadia Corp. 早前發(fā)布了一份新聞稿，稱其已開發(fā)出每單元 7 位 (7bpc) 的存儲(chǔ)技術(shù)。雖然這個(gè)產(chǎn)品仍處于原型階段，但他們認(rèn)為這個(gè) 7bpc 閃存芯片，可能在 WORM 場(chǎng)景中，在 150攝氏度下具有有效的 10 年數(shù)據(jù)保留時(shí)間。該公司表示，具有這種控制級(jí)別的標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)代存儲(chǔ)單元只能將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)約 100 秒，因此設(shè)計(jì)的秘訣在于他們開發(fā)的新型閃存單元。