電鏡搬運(yùn)電鏡裝卸電鏡安裝調(diào)試的亞瑟報(bào)道：根據(jù)‌‍精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍顯示，2022年的DRAM供給位元成長(zhǎng)率約18.6%，然而由于目前買方庫(kù)存水位已偏高，加上2022年需求位元成長(zhǎng)率僅17.1%，明年DRAM產(chǎn)業(yè)將由供不應(yīng)求轉(zhuǎn)至供過于求。盡管DRAM價(jià)格將因供過于求而出現(xiàn)下滑，但在寡占市場(chǎng)型態(tài)下，整體產(chǎn)值并不會(huì)大幅下跌，預(yù)估2022年的DRAM總產(chǎn)值將達(dá)915.4億美元，年增微幅上升0.3%。‌‍精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍以明年各季度的供過于求比例（以下稱：sufficiency ratio）作為預(yù)測(cè)基礎(chǔ)，預(yù)期DRAM平均銷售單價(jià)將年減15%，而價(jià)格下滑幅度在上半年較為明顯；下半年起將受惠于DDR5的滲透率提升與旺季需求效應(yīng)帶動(dòng)，均價(jià)跌幅將收斂，不排除有持平或漲價(jià)的可能性。‌‍精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍方面， 2022年供給位元年增長(zhǎng)率約31.8%；而需求位元年成長(zhǎng)幅度為30.8%，故明年NAND Flash價(jià)格也將受供過于求影響而有所下滑。此外，由于NAND Flash屬完全競(jìng)爭(zhēng)市場(chǎng)，均價(jià)下滑的幅度較DRAM更加明顯，然NAND Flash在層數(shù)結(jié)構(gòu)的堆棧持續(xù)推進(jìn)，故在供給位元成長(zhǎng)仍維持在30%以上的情況下，預(yù)估2022年NAND Flash總產(chǎn)值仍有成長(zhǎng)空間，達(dá)741.9億美元、年增7.4%。