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醫(yī)學(xué)透射電鏡維修搬運裝卸安裝

2021-08-02  來自: 亞瑟半導(dǎo)體設(shè)備安裝(上海)有限公司 瀏覽次數(shù):250

醫(yī)學(xué)透射電鏡維修搬運裝卸安裝的亞瑟報道:半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍產(chǎn)業(yè)資訊,半導(dǎo)體行業(yè)正迎來業(yè)界轉(zhuǎn)折點。隨著物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、人工智能等推動的市場新一輪增長,對半導(dǎo)體需求從未如此之高。然而,另一方面,遵循摩爾定律的傳統(tǒng)二維縮放技術(shù)正在達到極限。半導(dǎo)體廠商長期以來所依賴的PPACt(功耗、性能、單位面積成本和產(chǎn)品上市時間)的穩(wěn)步改善可能會被打亂。尤其在邏輯芯片領(lǐng)域表現(xiàn)尤為突出,因為邏輯芯片是幾乎所有電子產(chǎn)品的主要處理器,因而需要有高功率和高性能。根據(jù)半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍報道,為深入研究該問題,Applied Materials(應(yīng)用材料公司)于近日舉辦了「邏輯大師班」 (Logic Master Class),AMAT的工程師和行業(yè)專家探討了持續(xù)改進PPACt和其它邏輯擴展路線圖的挑戰(zhàn)和解決方案。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍邏輯大師班所涉及的領(lǐng)域包括晶體管和接線縮放、圖案化和設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化(DTCO)的縮放技術(shù)。所有這些領(lǐng)域的共同點是需要采用新的芯片架構(gòu)、新的三維結(jié)構(gòu)、新的材料、新的形狀微縮化方法和半導(dǎo)體芯片的封裝技術(shù)等一系列組合,來補充傳統(tǒng)的二維縮放技術(shù)。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍介紹邏輯大師班所涉及的一些主題,特別是為了擴展邏輯半導(dǎo)體所克服的晶體管設(shè)計和物理限制領(lǐng)域。晶體管作為開關(guān),為實現(xiàn)半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍性能,主要是通過限度地提高驅(qū)動電流和降低電容和電阻來減少開關(guān)延遲。例如,F(xiàn)inFET晶體管(鰭式場效晶體管)通過調(diào)整各種物理參數(shù),如翅片高度、通道的柵極長度、電子通過通道的遷移率、施加在開關(guān)的閾值電壓、以及控制開關(guān)的開啟/關(guān)閉狀態(tài)的柵極氧化膜厚度等,來加快運行速度。為減少電阻,會將高活性的摻雜物注入到通道附近區(qū)域。另一個重要因素是晶體管之間的變化。特定電路中速度半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍晶體管會成為性能瓶頸,因此電路中各個元器件性能差異越小,電路速度越快。


醫(yī)學(xué)透射電鏡維修搬運裝卸安裝

阻礙FinFET性能的因素:翅片曲率

在新一代FinFET設(shè)計中存在著一個緊迫問題。FinFET的結(jié)構(gòu)分為三個主要模塊:通道和淺溝隔離、High-k/金屬柵極(HKMG)和晶體管源/漏極電阻。


醫(yī)學(xué)透射電鏡維修搬運裝卸安裝


圖1:FinFET的三個主要模塊:(1)通道和淺溝隔離(2)High-k/金屬柵極(HKMG)(3)晶體管源/漏極電阻

對于通道和淺溝隔離模塊,業(yè)界一直試圖通過增加翅片高度和縮小翅片寬度來提高速度。然而,如果翅片做得更高更窄,在制造過程中,由于翅片之間的器件分離氧化膜的應(yīng)變導(dǎo)致翅片在制造過程中容易彎曲。這種彎曲的反作用力會帶來應(yīng)變,降低電子遷移率,影響閾值電壓并增加晶體管的性能差異。因此需要新的材料工程解決方案來消除這些翅片的彎曲。


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